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封装要求：“碳化硅+陶瓷复合基+高温合金”封装工艺
工作温度：-80～﹢650℃，最高监测650℃环境温度下的金属应变状态
内含测温功能，可对应变值做同步温补
分辨率：0.1%F.S
精度：0.2%F.S
量程：±5000με
尺寸：35x12x4mm
刻写技术：核心元件采用高度灵活的飞秒写入技术，允许客户按需定制传感器
耐伽马辐照、抗电磁干扰
传感器可耐受GJB 150.15振动冲击试验，可应对复杂恶劣工况及施工条件
其他技术要求：
波长范围：1460～1640nm
边模抑制比：≥20dB
3dB带宽：≤0.35nm
反射率：＞70%
连接方式：FC/APC插接
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